EEPROM与FLASH闪存到底区别在哪？

狭义的EEPROM特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。

两者都是非易失性存储器。flash是用来存储代码的，在运行过程中不能改；EEPROM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变，不怕掉电。

1、擦写方式不同

FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。。

一般来说eeprom中存放开机是用到的参数，不可丢失的变量等，而FLASH中会存放程序，记录文件等。

FLASH在写新的数据前必须先擦除，而且经常是只允许整页擦除，没有办法擦除一个字节，换句话说，只能成块的读写，特别是写。

EEPROM写之前不需要擦除，可以每次改写一个字节。当然，也有缺点，EEPROM读写速度慢，另外，容量比较小，也就是说EEPROM要贵。

2、使用情况不同

对单片机来说，关键性的数据，如传感器的标定数据，用户配置参数等，用EEPROM存储，而像文件等大容量的数据记录，或者经常读但很少写的数据，可以用FLASH闪存存储，像图片、字库、文件记录。

除了操作次数相当高外，操作时间也很短，基本上命令发完就完成了读写操作，不需要eeprom的写等待查询。

3、擦写次数不同

eeprom比flash多很多，一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次（现在有些已经到了上万次），eeprom的数据比这个大，但普通eeprom也是有限制。

如果要“无限制”，可以选择FRAM，它虽然读一次和写一次都算一次操作，但操作次数可以到10的12次方级别，基本可以认为是无限。

flash分为nor flash和nand flash。nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。

nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，norflash没有页）

注：整理自网络