NXP TPMS芯片之-闪存操作1

闪存主要用于程序存储。使用单线后台调试接口，在应用产品最终组装后，可以将操作程序加载到闪存中。由于闪存擦除和编程操作不需要特殊电压，因此也可以通过其他软件控制的通信路径进行应用程序内编程。

1特点

闪存的特点包括：

•用户程序闪存大小-8192字节（16页，每页512字节）

•单电源程序和擦除

•用于快速编程和擦除操作的命令界面

•在典型电压和温度下最多100000个编程/擦除周期

•柔性块保护

•闪存和RAM的安全功能

•自动关闭低频读取访问的电源

2编程和擦除时间

在接受任何程序或擦除命令之前，必须写入闪存时钟分配器寄存器（FCDIV），以将闪存模块的内部时钟设置为150 kHz和200 kHz之间的频率（fFCLK）。此寄存器只能写入一次，因此通常在复位初始化期间执行此写入。如果设置了访问错误标志FACCERR in FSTAT，则无法写入FCDIV。用户必须确保在写入FCDIV寄存器之前没有设置FACCERR。所产生的时钟的一个周期（1/fFCLK）被命令处理器用来计时编程和擦除脉冲。命令处理器使用这些定时脉冲的整数来完成程序或擦除命令。

下表9显示了程序和擦除时间。总线时钟频率和FCDIV决定FCLK（fFCLK）的频率。FCLK的一个周期的时间是tFCLK=1/fFCLK。时间以FCLK的循环数和tFCLK=5 us的情况下的绝对时间表示。显示的编程和擦除时间包括命令状态机的开销以及编程和擦除电压的启用和禁用。

3编程和擦除命令执行

下面列出了执行任何命令的步骤。在开始执行命令之前，必须初始化FCDIV寄存器并清除所有错误标志。命令执行步骤包括：

1.将数据值写入闪存阵列中的地址。该写入的地址和数据信息被锁存到闪存接口中。在任何命令序列中，写入都是必需的第一步。对于擦除和空白检查命令，数据的值并不重要。对于页面擦除命令，地址可以是要擦除的512字节FLASH页面中的任何地址。对于批量擦除和空白检查命令，地址可以是闪存中的任何地址。512字节的整页是可以擦除的最小闪存块。

擦除操作成功后，不要在闪存中多次编程任何字节。如果不先擦除字节所在的页面或批量擦除整个闪存，则不允许将位重新编程为已编程的字节。不首先擦除的编程可能会干扰存储在闪存中的数据。

2.将所需命令的命令代码写入FCMD。五个有效的命令是空检查（0x05）、字节程序（0x20）、突发程序（0x25）、页面擦除（0x40）和批量擦除（0x41）。命令代码锁存到命令缓冲区中。

3.将1写入FSTAT中的FCBEF位以清除FCBEF并启动命令（包括其地址和数据信息）。

注：整理自网络