NXP TPMS芯片之-实时中断
RTI使用内部低频振荡器（LFO）作为其时钟源。RTI可以用作MCU运行模式下的周期性中断，也可以用作所有低功耗模式下的周期性唤醒。LFO始终处于激活状态，不能通过任何软件控制关闭电源。RTI的控制位如下图所示。
SRTISC寄存器字段描述
| 字段 | 描述 |
| 7 RTIF | RTI中断标志-RTIF位指示RTI何时生成唤醒中断。该位通过向RTIACK位写入1来清除。将零写入该位无效。重置清除此位。
0 唤醒中断未生成或先前已确认。 1 唤醒中断生成。 |
| 6 RTIACK | 确认RTIF中断标志-RTIACK位清除RTIF位（如果使用1写入）。将零写入RTIACK位对RTIF位没有影响。读取RTIACK位返回零。重置对该位没有影响。
0无效。 1清除RTIF位。 |
| 5 RTICLKS | RTI中断时钟选择-此读写位选择实时中断请求的时钟源
0实时中断请求时钟源为LFO。 1实时中断请求时钟源为HFO（MCU必须处于运行模式）。 |
| 4 RTIE | RTIF中断启用-如果使用RTI位写入，则RTI位启用RTI中断。重置清除此位。
0禁用RTI中断。 1启用RTI中断。 |
| 3 Unused | 未使用 |
| 2:0 RTIS[2:0] | RTI中断延迟选择-RTI[2:0]位选择给定的RTI中断时间
在表24中，重置清除这些位 |
低压检测（LVD）系统
FXTH870xD包括一个检测低电压条件的系统，以便在电源电压变化期间保护内存内容和控制MCU系统状态。该系统由上电复位（POR）电路和LVD电路组成，LVD电路具有用户可选择的高（VLVDH）或低（VLVDL）跳闸电压。当SPMSC1中的LVDE高且SPMSC3中的LVDV选择跳闸电压时，LVD电路启用。除非设置了LVDSE位，否则LVD在进入任何停止模式时被禁用。如果LVDSE和LVDE都已设置，则MCU无法进入STOP1。
上电复位操作
当FXTH870xD最初通电时，或当电源电压降至VPOR电平以下时，POR电路将导致复位情况。当电源电压上升时，LVD电路将保持芯片复位，直到电源上升到LVDV位确定的电平以上。SRS中的POR位和LVD位都是在POR之后设置的。
低电压警告（LVW）
LVD系统有一个低压警告标志LVWF，用于向用户指示电源电压接近但仍高于LVD复位电压。可以通过向LVWACK位写入逻辑值来重置LVWF。LVW没有与其关联的中断。有两个用户可选择的LVW跳闸电压，由SPMSC3中的LVWV选择。LVWF在电源电压低于选定水平时设置，并且在电源电压升至选定水平以上之前无法重置。下降和上升的阈值有少量的滞后。
注：整理自网络
